Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP362 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRFP362 |
| Модель | IRFP362 |
Trans MOSFET N-CH 400 В 23 А 3-контактный (3+Tab) TO-247AD
Datasheets
Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Кб, Файл закачен: 22 июн 2018, Страниц: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Выписка из документа
Цены
 Купить IRFP362 на РадиоЛоцман.Цены — от 118 до 1 025 ₽7 предложений от 7 поставщиков , Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | |||
| IRFP362 Harris | 373 ₽ | ||
| IRFP362 Harris | 816 ₽ | ||
| IRFP362 Harris | 857 ₽ | ||
| IRFP362 Vishay | по запросу | ||
Параметры
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 В |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 300000 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Рабочая температура максимальная | 150 °C |
| Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET
