Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP362 — Даташит
Производитель | New Jersey Semiconductor |
Серия | IRFP362 |
Модель | IRFP362 |
Trans MOSFET N-CH 400V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Datasheets
Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Кб, Файл закачен: 22 июн 2018, Страниц: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Выписка из документа
Цены
Купить IRFP362 на РадиоЛоцман.Цены — от 373 до 989 ₽ 13 предложений от 7 поставщиков Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated | |||
IRFP362 Harris | от 373 ₽ | ||
IRFP362 Harris | от 455 ₽ | ||
IRFP362 Harris | по запросу | ||
IRFP362 International Rectifier | по запросу |
Параметры
Category | Power MOSFET |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
Maximum Drain Source Voltage | 400 В |
Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
Максимальное рассеяние мощности | 300000 mW |
Number of Elements per Chip | 1 |
Рабочая температура максимальная | 150 °C |
Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET