Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP360 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRFP360 |
| Модель | IRFP360 |
Trans MOSFET N-CH 400 В 23 А 3-контактный (3+Tab) TO-247AC
Datasheets
Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Кб, Файл закачен: 22 июн 2018, Страниц: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Выписка из документа
 Купить IRFP360 на РадиоЛоцман.Цены — от 62 до 791 ₽74 предложений от 37 поставщиков Транзисторы полевые.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 400Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 23Заряд затвора, нКл: 210Описание: MOSFET 400V N-CH... | |||
| IRFP360PBF Vishay | от 172 ₽ | ||
| Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ IRFP360 International Rectifier | 308 ₽ | ||
| IRFP360PBF | по запросу | ||
| IRFP360* | по запросу | ||
Параметры
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 В |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 280000 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Рабочая температура максимальная | 150 °C |
| Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET
