Datasheet New Jersey Semiconductor IRFP360 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRFP360 |
| Модель | IRFP360 |
Trans MOSFET N-CH 400 В 23 А 3-контактный (3+Tab) TO-247AC
Datasheets
Datasheet IRFP360, IRFP362
PDF, 650 Кб, Файл закачен: 22 июн 2018, Страниц: 2
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Avalanche-Energy-Rated N-Channel Power MOSFETs
Выписка из документа
 Купить IRFP360 на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 775 ₽72 предложений от 33 поставщиков N-канальный силовой полевой униполярный МОП-транзистор, 23 A, 400 В, 0,20 Ом | |||
| IRFP360 Vishay | 142 ₽ | ||
| IRFP360PBF Vishay | от 190 ₽ | ||
| IRFP360PBF Vishay | 197 ₽ | ||
| IRFP360PBF Vishay | 772 ₽ | ||
Параметры
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 В |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 280000 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Рабочая температура максимальная | 150 °C |
| Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET
