AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6659 — Даташит

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
Серия2N6659
Модель2N6659

Trans MOSFET N-CH 35 В 1,4 А 3-контактный TO-205AD

Datasheets

Datasheet
PDF, 111 Кб, Файл закачен: 22 июн 2018
Выписка из документа
16 предложений от 16 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3Pin TO-205AD
2N6659/1
по запросу
МосЧип
Россия
JAN2N6659
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
2N6659
ON Semiconductor
по запросу
727GS
Весь мир
2N6659
ON Semiconductor
по запросу
КОМПЭЛ представляет техническое руководство по выбору компонентов Hongfa для зарядных станций

Параметры

CategoryPower MOSFET
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Maximum Continuous Drain Current1.4 A
Maximum Drain Source Voltage35 В
Maximum Gate Source Voltage±20 В
Максимальное рассеяние мощности6250 mW
Number of Elements per Chip1
Рабочая температура максимальная150 °C
Рабочая температура минимальная-55 °C
Supplier Temperature GradeCommercial

Другие варианты исполнения

2N6660 2N6661

Классификация производителя

  • MOSFET

На английском языке: Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6659

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка