Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6660 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | 2N6660 |
| Модель | 2N6660 |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.99A 3-Pin TO-205AD
Datasheets
Цены
 Купить 2N6660 на РадиоЛоцман.Цены — от 245 до 3 561 ₽30 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 1.1 А, 2.7 Ом, TO-205AD, Through Hole | |||
| 2N6660-E3 Vishay | от 245 ₽ | ||
| 2N6660 EPCOS | 418 ₽ | ||
| 2N6660 | 864 ₽ | ||
| 2N6660-5H Supertex | по запросу | ||
Параметры
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.99 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 В |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 725 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Рабочая температура максимальная | 150 °C |
| Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET
