Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6660 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | 2N6660 |
| Модель | 2N6660 |
Trans MOSFET N-CH 60 В 0,99 А 3-контактный TO-205AD
Datasheets
 Купить 2N6660 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 2 702 ₽33 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 1.1 А, 2.7 Ом, TO-205AD, Through Hole | |||
| 2N6660 Solid State | от 727 ₽ | ||
| 2N6660 Microchip | от 2 680 ₽ | ||
| 2N6660 Supertex | по запросу | ||
| 2N6660-2 Supertex | по запросу | ||
Параметры
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.99 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 В |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 725 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Рабочая температура максимальная | 150 °C |
| Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET
