Datasheet New Jersey Semiconductor 2N6661 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | 2N6661 |
| Модель | 2N6661 |
Trans MOSFET N-CH 90V 0.35A 3-Pin TO-39
Datasheets
Цены
 Купить 2N6661 на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 3 732 ₽33 предложений от 21 поставщиков Силовой МОП-транзистор, вертикальный DMOS FET, N Канал, 90 В, 1.5 А, 4 Ом, TO-39, Through Hole | |||
| 2N6661 Microchip | 33 ₽ | ||
| 2N1893 2N2102 2N4037 2N5415 2N1613 2N5416 2N3725 2N4037 2N1808 2N3019 2N6661 2N5323 2N3501 2N6849 2N5666 TO-39 | 86 ₽ | ||
| 2N6661JTXV02 Vishay | по запросу | ||
| JANTX2N6661 | по запросу | ||
Параметры
| Category | Power MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current | 0.35 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 90 В |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 В |
| Максимальное рассеяние мощности | 6250 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Рабочая температура максимальная | 150 °C |
| Рабочая температура минимальная | -55 °C |
Другие варианты исполнения
Классификация производителя
- MOSFET
