Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

ПроизводительInterFET
Серия2N3958
Модель2N3958

N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor

Datasheets

  • Скачать » Datasheet PDF, 68 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: янв 1999
    2N3957, 2N3958 Datasheet
    Выписка из документа ↓
    Databook.fxp 1/14/99 11:30 AM Page B-6 B-6 01/99 2N3957, 2N3958 N-Channel Dual Silicon Junction Field-Effect Transistor
    Absolute maximum ratings at TA = 25¡C ¥ Low and Medium Frequency
    Differential Amplifiers
    ¥ High Input Impedance
    Amplifiers At 25°C free air temperature: Reverse Gate Source & Reverse Gate Drain Voltage
    Gate Current
    Total Device Power Dissipation (each side)
    @ 85°C Case Temperature (both sides)
    Power Derating (both sides) 2N3957 Static Electrical Characteristics Min Gate Source Breakdown Voltage V(BR)GSS Gate Reverse Current IGSS Gate Operating Current IG Gate Source Voltage VGS Gate Source Cutoff Voltage VGS(OFF) Gate Source Forward Voltage VGS(F) Drain Saturation Current (Pulsed) IDSS Max – 50 2N3958
    Min Max – 50 V
    50 mA
    250 mW
    500 mW
    4.3 mW/°C Process NJ16
    Unit – 50 Test Conditions V IG = – 1 µA, VDS = ØV – 100 – 100 pA VGS = – 30V, VDS = ØV – 500 – 500 nA VGS = – 30V, VDS = ØV – 50 – 50 pA VDS = 20V, ID = 200 µA – 250 – 250 nA VDS = 20V, ID = 200 µA – 4.2 – 4.2 V VDS = 20V, ID = 50 µA TA = 125°C
    TA = 125°C – 0.5 –4 – 0.5 –4 V VDS = 20V, ID = 200 µA –1 – 4.5 –1 – 4.5 V VDS = 20V, ID = 1 nA 2 V VDS = Ø, IG = 1 mA 5 mA VDS = 20V, VGS = ØV 1000 3000 1000 3000 µS VDS = 20V, VGS = ØV f = 1 kHz 1000 µS VDS = 20V, VGS = ØV f = 200 MHz 2
    0.5 5 0.5 Dynamic Electrical Characteristics
    Common Source
    Forward Transconductance gfs Common Source Output Conductance gos 35 35 µS VDS = 20V, VGS = ØV f = 1 kHz Common Source Input Capacitance Ciss 4 4 pF VDS = 20V, VGS = ØV f = 1 MHz Drain Gate Capacitance Cdgo 1.5 1.5 pF VDS = 10V, IS = ØA f = 1 MHz Common Source
    Reverse Transfer Capacitance Crss 1.2 1.2 pF VDS = 20V, VGS = ØV f = 1 MHz Noise Figure NF 0.5 0.5 dB VDS = 20V, VGS = ØV
    RG = 10 MΩ f = 100 Hz Differential Gate Current | IG1 – IG2 | 10 10 nA VDS = 20V, ID = 200 µA TA = 125°C Saturation Drain Current Ratio IDSS1 / IDSS2 Differential Gate Source Voltage | VGS1 – VGS2 | Differential Gate Source
    Voltage with Temperature
    Transconductance Ratio 0.9 ∆VGS1– VGS2 ...

Цены

JFET Dual 50V 0.05
ПоставщикНаименованиеЦена
Элитан2N39581 406 руб.
Океан Электроники2N3958/SILXпо запросу
МосЧип2N3958_SOICпо запросу
ЭлектроПласт2N3958-NS-96по запросу
LifeElectronicsJAN2N3958по запросу
Все 9 предложений от 9 поставщиков »

Другие варианты исполнения

2N3957

На английском языке: Datasheet InterFET 2N3958

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Лазерный дальномер Leica Disto D1
Дальномер Leica Disto D1
Дальность измерения: 0.2 - 40 м
Цена: от 4 999 руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru