Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet Infineon BSC016N04LS G

Datasheet Infineon BSC016N04LS G

ПроизводительInfineon
СерияBSC016N04LS G

OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.

Datasheets

  • Скачать » Datasheet PDF, 319 Кб, Версия: 02_00, Файл закачен: 29 дек 2018
    Выписка из документа ↓
    BSC016N04LS G OptiMOS™3 Power-Transistor Product Summary Features V DS 40 V • Fast switching MOSFET for SMPS R DS(on),max 1.6 mΩ • Optimized technology for DC/DC converters ID 100 A • Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 • N-channel
    • Logic level
    • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
    • Very low on-resistance R DS(on)
    • Superior thermal resistance
    • 100% Avalanche tested
    • Pb-free plating; RoHS compliant;
    •Halogen-free according to IEC61249-2-21
    Type Package Marking BSC016N04LS G PG-TDSON-8 016N04LS Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
    Parameter Symbol Conditions Continuous drain current ID Value V GS=10 V, T C=25 °C 100 V GS=10 V, T C=100 °C 100 V GS=4.5 V, T C=25 °C 100 V GS=4.5 V,
    T C=100 °C 100 V GS=10 V, T A=25 °C,
    R thJA=50 K/W 2) Unit
    A 31 Pulsed drain current3) I D,pulse T C=25 °C 400 Avalanche current, single pulse 4) I AS T C=25 °C 50 Avalanche energy, single pulse E AS I D=50 A, R GS=25 Ω 295 mJ Gate source voltage V GS ±20 V 1) Rev. 2.0 J-STD20 and JESD22 page 1 2011-03-23 BSC016N04LS G
    Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified
    Parameter Symbol Conditions Power dissipation P tot Value T C=25 °C 139 T A=25 °C, T j, T stg -55 . 150 IEC climatic category; DIN IEC 68-1 Parameter W 2.5 R thJA=50 K/W 2)
    Operating and storage temperature Unit °C 55/150/56 Values Symbol Conditions Unit min. typ. max. -0.9 Thermal characteristics
    Thermal resistance, junction -case R thJC bottom
    top Device on PCB R thJA 6 cm2 cooling area2) K/W 20
    -50 40 -Electrical characteristics, at T j=25 °C, unless otherwise specified
    Static characteristics
    Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS V GS=0 V, I D=1 mA Gate threshold voltage V GS(th) V DS=V GS, I D=85 µA 1.2 -2 Zero gate voltage drain current I DSS V DS=40 V, V GS=0 V,
    T j=25 °C -0.1 1 V DS=40 V, V GS=0 V,
    T j=125 °C -10 100 V µA Gate-source leakage current I GSS V GS=20 V, V DS=0 V -10 100 nA Drain-source on-state resistance R DS(on) V GS=4.5 V, I D=50 A -1.8 2.3 mΩ V GS=10 V, I D=50 A -1.3 1.6 -1.5 -Ω 95 190 -S Gate resistance RG Transconductance g fs |V DS|>2|I D|R DS(on)max, ...

Цены

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
AllchipsInfineonBSC016N04LS G60 руб.
ЭлитанInfineonBSC016N04LSG113 руб.
ЭлрусBSC016N04LS Gпо запросу
ДКО ЭлектронщикInfineonBSC016N04LSGпо запросу
TradeElectronicsInfineonBSC016N04LS Gпо запросу
Все 8 предложений от 8 поставщиков »

Статус

BSC016N04LSGATMA1
Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Модельный ряд

Серия: BSC016N04LS G (1)

Классификация производителя

  • Power > MOSFET > 12V-300V N-Channel Power MOSFET > 40V-75V N-Channel Power MOSFET

На английском языке: Datasheet Infineon BSC016N04LS G

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Тепловизор Testo 875-1i
Тепловизор Testo 875-1i
матрица 160x120 пкс, NETD < 50 мК
Цена: от 190 000 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Источник питания Актаком APS-1303
Источник питания Актаком APS-1303
2 LED дисплея, 0…30 В, 0…3 А
Цена: от 9 700 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ

Рейтинг@Mail.ru