Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet Toshiba SSM6N813R — Даташит

ПроизводительToshiba
СерияSSM6N813R
МодельSSM6N813R

Малосигнальный МОП-транзистор 2 в 1

Datasheets

SSM6N813R Data sheet/English
PDF, 440 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: сен 2018
Выписка из документа

Цены

22 предложений от 5 поставщиков
Транзистор: AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW
Зенер
Россия и страны ТС
SSM6N813R,LXHF
от 22 ₽
SSM6N813R,LF
Toshiba
от 30 ₽
Элитан
Россия
SSM6N813R.LF
Toshiba
32 ₽
ЭИК
Россия
SSM6N813R,LXHF
Toshiba
от 50 ₽

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)

Корпус / Упаковка / Маркировка

Код корпуса производителяTSOP6F

Параметры

Application ScopePower Management Switches
Assembly basesThailand
Component Product (Q1)SSM6N813R
Component Product (Q2)SSM6N813R
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V]112 mΩ
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V]154 mΩ
Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max)2.5 В
GenerationU-MOSⅧ-H
Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.)242 пФ
Internal ConnectionIndependent
PolarityN-ch×2
Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V]3.6 nC

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: SSM6N813R (3)

Классификация производителя

  • MOSFETs

На английском языке: Datasheet Toshiba SSM6N813R

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка