Datasheet Toshiba SSM6N813R

ПроизводительToshiba
СерияSSM6N813R
МодельSSM6N813R

Small-signal MOSFET 2 in 1

Datasheets

Datasheet PDF, 440 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: сен 2018
SSM6N813R Data sheet/English
Выписка из документа

Цены

Статус

Статус продуктаNew Product

Корпус / Упаковка / Маркировка

Код корпуса производителяTSOP6F

Параметры

Application ScopePower Management Switches
Assembly basesThailand
Component Product (Q1)SSM6N813R
Component Product (Q2)SSM6N813R
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V]112 mΩ
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V]154 mΩ
Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max)2.5 В
GenerationU-MOSⅧ-H
Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.)242 пФ
Internal ConnectionIndependent
PolarityN-ch×2
Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V]3.6 nC

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: SSM6N813R (3)

Классификация производителя

На английском языке: Datasheet Toshiba SSM6N813R

Рекомендуемые материалы по теме