Datasheet Toshiba SSM6N813R — Даташит
| Производитель | Toshiba |
| Серия | SSM6N813R |
| Модель | SSM6N813R |
Small-signal MOSFET 2 in 1
Datasheets
SSM6N813R Data sheet/English
PDF, 440 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: сен 2018
Выписка из документа
Цены
 Купить SSM6N813R на РадиоЛоцман.Цены — от 31 до 54 ₽6 предложений от 2 поставщиков Транзистор: AUTO AEC-Q SS MOS DUAL N-CH LOW | |||
| SSM6N813R.LF Toshiba | 31 ₽ | ||
| SSM6N813R,LXHF Toshiba | от 54 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Код корпуса производителя | TSOP6F |
Параметры
| Application Scope | Power Management Switches |
| Assembly bases | Thailand |
| Component Product (Q1) | SSM6N813R |
| Component Product (Q2) | SSM6N813R |
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V] | 112 mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V] | 154 mΩ |
| Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max) | 2.5 В |
| Generation | U-MOSⅧ-H |
| Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.) | 242 пФ |
| Internal Connection | Independent |
| Polarity | N-ch×2 |
| Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V] | 3.6 nC |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: SSM6N813R (3)
- SSM6N813R SSM6N813R,LF SSM6N813R,LXGF
Классификация производителя
- MOSFETs
