Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet Toshiba SSM6N813R

ПроизводительToshiba
СерияSSM6N813R
МодельSSM6N813R

Small-signal MOSFET 2 in 1

Datasheets

  • Скачать » Datasheet PDF, 440 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: сен 2018
    SSM6N813R Data sheet/English
    Выписка из документа ↓
    SSM6N813R
    MOSFETs Silicon N-Channel MOS SSM6N813R
    1. Applications
    • Power Management Switches 2. Features
    (1) AEC-Q101 qualified (Note 1) (2) 175  MOSFET (3) 4.5 V drive (4) Low drain-source on-resistance
    : RDS(ON) = 110 mΩ (typ.) (@VGS = 4.5 V)
    RDS(ON) = 88 mΩ (typ.) (@VGS = 10 V) (5) HBM: 2-kV class
    Note 1: For detail information, please contact to our sales. 3. Packaging and Pin Assignment 1: Source 1
    2: Gate 1
    3: Drain 2
    4: Source 2
    5: Gate 2
    6: Drain 1 TSOP6F Start of commercial production
    ©2018
    Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 1 2018-04
    2018-09-06
    Rev.3.0 SSM6N813R
    4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )
    (Q1,Q2 Common)
    Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS 100 V Gate-source voltage VGSS ±20 Drain current (DC)
    Drain current (pulsed)
    Power dissipation
    Power dissipation (t ≤ 1 s) (Note 1) ID 3.5 (Note 1), (Note 2) IDP 7 (Note 3) PD 1.5 (Note 3) Single-pulse avalanche energy (Note 4) Avalanche current A ...

Цены

Статус

Статус продуктаNew Product

Корпус / Упаковка / Маркировка

Код корпуса производителяTSOP6F

Параметры

Application ScopePower Management Switches
Assembly basesThailand
Component Product (Q1)SSM6N813R
Component Product (Q2)SSM6N813R
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=10V]112 mΩ
Drain-Source on-resistance (Q1/Q2) (Max) [|VGS|=4.5V]154 mΩ
Gate threshold voltage (Q1/Q2) (Max)2.5 В
GenerationU-MOSⅧ-H
Input capacitance (Q1/Q2) (Typ.)242 пФ
Internal ConnectionIndependent
PolarityN-ch×2
Total gate charge (Q1/Q2) (Typ.) [VGS=4.5V]3.6 nC

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Серия: SSM6N813R (3)

Классификация производителя

  • MOSFETs

На английском языке: Datasheet Toshiba SSM6N813R

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Тепловизор Fluke TiX580
Тепловизор Fluke TiX580
Диапазон измеряемых температур: от 20 до +800 °C
Цена: от 1 458 000 руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru