Datasheet Diodes DGTD120T25S1PT — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DGTD120T25S1PT |
| Модель | DGTD120T25S1PT |
1200 В полевой стопор IGBT
Datasheets
Datasheet DGTD120T25S1PT
PDF, 1.7 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 26 мар 2019, Страниц: 10
1200V Field Stop IGBT
1200V Field Stop IGBT
Выписка из документа
 Купить DGTD120T25S1PT на РадиоЛоцман.Цены — от 63 до 831 ₽24 предложений от 10 поставщиков Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 174Вт; TO247-3 | |||
| DGTD120T25S1PT Diodes | 63 ₽ | ||
| DGTD120T25S1PT | от 417 ₽ | ||
| DGTD120T25S1PT Diodes | от 765 ₽ | ||
| DGTD120T25S1PT Diodes | 831 ₽ | ||
Параметры
| Тип IGBT | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 В |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 А |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 А |
| Мощность макс. | 348 Вт |
| Тип входа | Стандартный |
| Gate Charge | 204 нКл |
| Статус продукта | В производстве |
| Упаковка | Tube |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO247 (Type MC) |
Параметры
| Anti Parallel Diode | Yes |
| EOFF typ @ +25°C | 0.55 mJ |
| EON typ @ +25°C | 1.44 mJ |
| IC @ +100°C | 25 A |
| IC @ +25°C | 50 A |
| Power Dissipation @ TC = +25°C | 348 W |
| Short Circuit | 10 µs |
| VCE(sat) max @ +25°C | 2.4 V |
| VCE(sat) typ @ +25°C | 2 V |
| VCES | 1200 V |
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs
