Datasheet Diodes DGTD120T40S1PT — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DGTD120T40S1PT |
| Модель | DGTD120T40S1PT |
1200 В полевой стопор IGBT
Datasheets
Datasheet DGTD120T40S1PT
PDF, 1.1 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 26 мар 2019, Страниц: 9
1200V Field Stop IGBT
1200V Field Stop IGBT
Выписка из документа
 Купить DGTD120T40S1PT на РадиоЛоцман.Цены — от 297 до 492 ₽8 предложений от 7 поставщиков , 1200V FIELD STOP IGBT IN TO-247 | |||
| DGTD120T40S1PT Diodes | 297 ₽ | ||
| DGTD120T40S1PT Diodes | от 468 ₽ | ||
| DGTD120T40S1PT Diodes | 492 ₽ | ||
| DGTD120T40S1PT Diodes | по запросу | ||
Параметры
| Тип IGBT | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 В |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 А |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 А |
| Мощность макс. | 357 Вт |
| Тип входа | Стандартный |
| Gate Charge | 341 нКл |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100 нс |
| Рабочая температура | -55~150 °C |
| Способ монтажа | В отверстия |
| Корпус | TO-247-3  |
| Статус продукта | Снят с производства |
| Упаковка | Tube |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO247 (Type MC) |
Параметры
| Anti Parallel Diode | Yes |
| EOFF typ @ +25°C | 0.54 mJ |
| EON typ @ +25°C | 1.96 mJ |
| IC @ +100°C | 40 A |
| IC @ +25°C | 80 A |
| Power Dissipation @ TC = +25°C | 357 W |
| Short Circuit | 10 µs |
| VCE(sat) max @ +25°C | 2.4 V |
| VCE(sat) typ @ +25°C | 2 V |
| VCES | 1200 V |
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs
