Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DGTD65T15H2TF |
| Модель | DGTD65T15H2TF |
650 В полевой стопор IGBT
Datasheets
Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 26 мар 2019, Страниц: 9
650V Field Stop IGBT
650V Field Stop IGBT
Выписка из документа
 Купить DGTD65T15H2TF на РадиоЛоцман.Цены — от 55 до 561 ₽35 предложений от 13 поставщиков IGBT600V-XITO-220AB / IGBT Field Stop 650 V 30 A 48 W Through Hole ITO-220AB | |||
| DGTD65T15H2TF Diodes | от 85 ₽ | ||
| DGTD65T15H2TF Diodes | от 183 ₽ | ||
| DGTD65T15H2TF Diodes | от 185 ₽ | ||
| DGTD65T15H2TF Diodes | 561 ₽ | ||
Подробное описание
DGTD65T15H2TF производится с использованием передовой технологии Field Stop Trench IGBT, которая обеспечивает высокую производительность, превосходное качество и высокую надежность.
Параметры
| Тип IGBT | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 В |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 А |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 А |
| Мощность макс. | 48 Вт |
| Тип входа | Стандартный |
| Gate Charge | 61 нКл |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 нс |
| Рабочая температура | -40~175 °C |
| Способ монтажа | В отверстия |
| Корпус | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab  |
| Статус продукта | В производстве |
| Упаковка | Tube |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | ITO220AB (Type MC) |
Параметры
| Anti Parallel Diode | Yes |
| EOFF typ @ +25°C | 0.086 mJ |
| EON typ @ +25°C | 0.27 mJ |
| IC @ +100°C | 15 A |
| IC @ +25°C | 30 A |
| Power Dissipation @ TC = +25°C | 48 W |
| Short Circuit | 5 µs |
| VCE(sat) max @ +25°C | 2 V |
| VCE(sat) typ @ +25°C | 1.65 V |
| VCES | 650 V |
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs
