Datasheet Diodes DGTD65T50S1PT — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DGTD65T50S1PT |
| Модель | DGTD65T50S1PT |
650 В полевой стопор IGBT
Datasheets
Datasheet DGTD65T50S1PT
PDF, 1.7 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 26 мар 2019, Страниц: 9
650V Field Stop IGBT
650V Field Stop IGBT
Выписка из документа
 Купить DGTD65T50S1PT на РадиоЛоцман.Цены — от 148 до 316 ₽6 предложений от 6 поставщиков IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K | |||
| DGTD65T50S1PT Diodes | 148 ₽ | ||
| DGTD65T50S1PT | 316 ₽ | ||
| DGTD65T50S1PT Diodes | по запросу | ||
| DGTD65T50S1PT Diodes | по запросу | ||
Параметры
| Тип IGBT | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 В |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 А |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 А |
| Мощность макс. | 375 Вт |
| Тип входа | Стандартный |
| Gate Charge | 287 нКл |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 нс |
| Рабочая температура | -40~175 °C |
| Способ монтажа | В отверстия |
| Корпус | TO-247-3  |
| Статус продукта | Снят с производства |
| Упаковка | Tube |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO247 (Type MC) |
Параметры
| Anti Parallel Diode | Yes |
| EOFF typ @ +25°C | 0.55 mJ |
| EON typ @ +25°C | 0.77 mJ |
| IC @ +100°C | 50 A |
| IC @ +25°C | 100 A |
| Power Dissipation @ TC = +25°C | 375 W |
| Short Circuit | 5 µs |
| VCE(sat) max @ +25°C | 2.4 V |
| VCE(sat) typ @ +25°C | 1.85 V |
| VCES | 650 V |
Классификация производителя
- Discrete > IGBTs
