Datasheet Analog Devices HMC754S8GETR — Даташит
Производитель | Analog Devices |
Серия | HMC754 |
Модель | HMC754S8GETR |
Двухтактный усилитель с высокой линейностью на основе GaAs HBT, 75 Ом, постоянный ток - 1 ГГц
Datasheets
Datasheet HMC754S8GE
PDF, 1.7 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 5 мар 2021, Страниц: 10
GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz
GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz
Выписка из документа
Datasheet HMC754S8GE
PDF, 867 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 7 апр 2019, Страниц: 10
GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz
GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz
Выписка из документа
Цены
![]() 8 предложений от 8 поставщиков Усилитель IC и модуль RF, RF Amp Chip Dual GP 1GHz 5.5V 8Pin SOIC T/R | |||
HMC754S8GETR Analog Devices | 10 ₽ | ||
HMC754S8GETR Analog Devices | 465 ₽ | ||
HMC754S8GETR Hittite | по запросу | ||
HMC754S8GETR Analog Devices | по запросу |
Статус
Статус продукта | Скоро будет снят с производства (Производитель объявил о скором прекращении производства прибора) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | 8-Lead MSOP (3mm x 3mm w/ EP) |
Количество выводов | 8 |
Код корпуса | RH-8-3 |
Параметры
Freq Response RF(max) | 1G Hz |
Freq Response RF(min) | 0M Hz |
Gain dB(typ) | 14.5 дБ |
Is(typ) | 160m A |
NF(typ) | 5.5 дБ |
OIP3(typ) | 38 dBm |
OP1dB(typ) | 21 dBm |
Рабочий диапазон температур | от -40 до 85 °C |
RF Primary Function | Gain Block |
Vs(typ) | 5 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: HMC754 (2)
- HMC754S8GE HMC754S8GETR
Классификация производителя
- Amplifiers > Gain Blocks
- RF & Microwave > Gain Blocks