Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet Analog Devices HMC754 — Даташит

ПроизводительAnalog Devices
СерияHMC754

Двухтактный усилитель с высокой линейностью на основе GaAs HBT, 75 Ом, постоянный ток - 1 ГГц

Datasheets

Datasheet HMC754S8GE
PDF, 1.7 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 5 мар 2021, Страниц: 10
GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz
Выписка из документа
Datasheet HMC754S8GE
PDF, 867 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 7 апр 2019, Страниц: 10
GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz
Выписка из документа

Цены

12 предложений от 9 поставщиков
GaAs HBT HIGH LINEARITY PUSH-PULL AMPLIFIER, 75 Ohm, DC - 1 GHz
EIS Components
Весь мир
HMC754S8GETR
Analog Devices
75 ₽
ChipWorker
Весь мир
HMC754S8GETR
Hittite
394 ₽
FAV Technology
Весь мир
HMC754S8GETR
Analog Devices
по запросу
МосЧип
Россия
HMC754S8GE
Hittite
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

HMC754S8GEHMC754S8GETR
Статус продуктаСкоро будет снят с производстваСкоро будет снят с производства

Корпус / Упаковка / Маркировка

HMC754S8GEHMC754S8GETR
N12
Корпус8-Lead MSOP (3mm x 3mm w/ EP)8-Lead MSOP (3mm x 3mm w/ EP)
Количество выводов88
Код корпусаRH-8-3RH-8-3

Параметры

Parameters / ModelsHMC754S8GEHMC754S8GETR
Freq Response RF(max), Hz1G1G
Freq Response RF(min), Hz0M0M
Gain dB(typ), дБ14.514.5
Is(typ), A160m160m
NF(typ), дБ5.55.5
OIP3(typ), dBm3838
OP1dB(typ), dBm2121
Рабочий диапазон температур, °Cот -40 до 85от -40 до 85
RF Primary FunctionGain BlockGain Block
Vs(typ), В55

Экологический статус

HMC754S8GEHMC754S8GETR
RoHSСовместимСовместим

Модельный ряд

Серия: HMC754 (2)

Классификация производителя

  • Amplifiers > Gain Blocks
  • RF & Microwave > Gain Blocks

На английском языке: Datasheet Analog Devices HMC754

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России