Datasheet ON Semiconductor SBC847BDW1T1G — Даташит
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | BC847BDW1 |
Модель | SBC847BDW1T1G |
Dual NPN Bipolar Transistor
Datasheets
Datasheet BC846BDW1, BC847BDW1, BC848CDW1
PDF, 107 Кб, Язык: анг., Версия: 11, Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 11
Dual NPN Bipolar Transistor
Dual NPN Bipolar Transistor
Выписка из документа
Цены
Купить SBC847BDW1T1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.86 до 39 ₽ 32 предложений от 15 поставщиков Массив биполярных транзисторов, Двойной NPN, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 200 hFE, SOT-363 | |||
SBC847BDW1T1G ON Semiconductor | 2.86 ₽ | ||
SBC847BDW1T1G ON Semiconductor | 6.14 ₽ | ||
SBC847BDW1T1G ON Semiconductor | 10 ₽ | ||
SBC847BDW1T1G ON Semiconductor | от 35 ₽ |
Подробное описание
The Dual NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications.
It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
Код корпуса | 419B-02 |
Экологический статус
Стандарты и нормы | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: BC847BDW1 (5)
- BC847BDW1T1G BC847BDW1T3G NSVBC847BDW1T2G SBC847BDW1T1G SBC847BDW1T3G
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors