Datasheet Diodes BC858BW — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | BC858BW |
p-n-p транзистор
Datasheets
Datasheet BC856AW, BC856BW, BC857AW, BC857BW, BC857CW, BC858AW, BC858BW, BC858CW
PDF, 221 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 5
PNP
PNP
Выписка из документа
 Купить BC858BW на РадиоЛоцман.Цены — от 0.29 до 16 ₽44 предложений от 20 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные — одиночные | |||
| BC858BW-7-F Diodes | 16 ₽ | ||
| BC858BW_R1_00001 PanJit | по запросу | ||
| BC858BW_05 Taiwan Semiconductor | по запросу | ||
| BC858BW-7-F Diodes | по запросу | ||
Корпус / Упаковка / Маркировка
| BC858BW | BC858BW-7-F | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Корпус | SOT323 |
Параметры
| Parameters / Models | BC858BW | BC858BW-7-F |
|---|---|---|
| Automotive Compliant PPAP | On Request* | |
| IC | 0.1 A | |
| ICM | 0.2 A | |
| PD | 0.2 W | |
| Product Type | PNP | |
| Qualified to AECQ10x | Yes | |
| VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A) | 0.01/0.5 | |
| VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A) | 0.1/5 | |
| VCE (SAT) (Max.2) | 650 mV | |
| VCE (SAT) Max | 300 mV | |
| VCEO, VCES | 30 V | |
| fT | 200 MHz | |
| hFE | 220 Min | |
| hFE (@ IC) | 0.002 A |
Другие варианты исполнения
BC856AW BC856BW BC857AW BC857BW BC857CW BC858AW BC858CW
Модельный ряд
Серия: BC858BW (2)
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Transistors > Transistor (BJT) Master Table > Transistors 30V to 50V
