Datasheet ON Semiconductor BC847CW — Даташит
Производитель | ON Semiconductor |
Серия | BC847CW |
Биполярный транзистор NPN
Datasheets
Datasheet BC846, BC847, BC848
PDF, 108 Кб, Язык: анг., Версия: 12, Файл закачен: 7 июл 2019, Страниц: 13
NPN Bipolar Transistor
NPN Bipolar Transistor
Выписка из документа
Цены
![]() 80 предложений от 38 поставщиков Транзисторы биполярные.Тип проводимости: NPNМаксимальное напряжение КЭ (Vceo), В: 45Максимальное напряжение КБ (Vcbo), В: 50Максимальное напряжение ЭБ (Vebo), В: 6Напряжение насыщения КЭ... | |||
BC847CW Keen Side | 0.85 ₽ | ||
BC847CW,115 NXP | от 1.47 ₽ | ||
BC847CW | 2.00 ₽ | ||
BC847CW,135 Nexperia | 2.90 ₽ |
Подробное описание
Биполярный транзистор NPN предназначен для усилителей общего назначения.
Он размещен в корпусе SOT-323/SC-70, который предназначен для поверхностного монтажа с низким энергопотреблением.
Статус
BC847CWT1 | BC847CWT1G | BC847CWT3G | SBC847CWT1G | SBC847CWT3G | |
---|---|---|---|---|---|
Статус продукта | Снят с производства (Производитель прекратил производство прибора) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
BC847CWT1 | BC847CWT1G | BC847CWT3G | SBC847CWT1G | SBC847CWT3G | |
---|---|---|---|---|---|
N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
Корпус | SC-70-3 / SOT-323-3 | SC-70-3 / SOT-323-3 | SC-70-3 / SOT-323-3 | SC-70-3 / SOT-323-3 | SC-70-3 / SOT-323-3 |
Код корпуса | 419-04 | 419-04 | 419-04 | 419-04 | 419-04 |
Экологический статус
BC847CWT1 | BC847CWT1G | BC847CWT3G | SBC847CWT1G | SBC847CWT3G | |
---|---|---|---|---|---|
Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: BC847CW (5)
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors