Datasheet ON Semiconductor SBC856BDW1T1G — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | BC856B |
| Модель | SBC856BDW1T1G |
Двойной биполярный транзистор PNP
Datasheets
Datasheet BC856BDW1T1G, SBC856BDW1T1G, BC857BDW1T1G, SBC857BDW1T1G, BC858CDW1T1G
PDF, 85 Кб, Язык: анг., Версия: 10, Файл закачен: 8 июл 2019, Страниц: 7
Dual PNP Bipolar Transistor
Dual PNP Bipolar Transistor
Выписка из документа
 Купить SBC856BDW1T1G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.62 до 1 412 ₽41 предложений от 15 поставщиков Массив биполярных транзисторов, Двойной PNP, -65 В, 100 мА, 380 мВт, 150 hFE, SOT-363 | |||
| SBC856BDW1T1G ON Semiconductor | от 1 412 ₽ | ||
| SBC856BDW1T1G ON Semiconductor | по запросу | ||
| SBC856BDW1T1G Infineon | по запросу | ||
| SBC856BDW1T1G ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Двойной биполярный транзистор PNP предназначен для усилителей общего назначения.
Он установлен в корпусе SOT-363/SC-88, предназначенном для маломощного поверхностного монтажа.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6 |
| Код корпуса | 419B-02 |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: BC856B (7)
- BC856BDW1T1 BC856BDW1T1G BC856BDW1T3 BC856BDW1T3G SBC856BDW1T1G SBC856BDW1T3G SBC857CDW1T1G
Классификация производителя
- Discrete > Bipolar Junction Transistors (BJT) > General Purpose and Low VCE(sat) Transistors
