Datasheet Infineon F3L11MR12W2M1B65BOMA1 — Даташит
| Производитель | Infineon |
| Серия | F3L11MR12W2M1_B65 |
| Модель | F3L11MR12W2M1B65BOMA1 |
3-уровневый модуль CoolSiC™ на 1200 В
Datasheets
Datasheet F3L11MR12W2M1_B65
PDF, 675 Кб, Язык: анг., Версия: 02_01, Файл закачен: 26 июл 2019, Страниц: 11
3-Level 1200 V CoolSiC™ Module
3-Level 1200 V CoolSiC™ Module
Выписка из документа
 Купить F3L11MR12W2M1B65BOMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 14 581 до 41 182 ₽7 предложений от 5 поставщиков Silicon Carbide MOSFET, Three Level Inverter, N Канал, 100 А, 1.2 кВ, 0.0113 Ом, Module | |||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon | 14 581 ₽ | ||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon | 17 705 ₽ | ||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon | от 41 182 ₽ | ||
| F3L11MR12W2M1B65BOMA1 Infineon | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Модельный ряд
Серия: F3L11MR12W2M1_B65 (1)
- F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Классификация производителя
- Power > Wide Bandgap Semiconductors (SiC/GaN) > Silicon Carbide (SiC) > CoolSiC™ MOSFET
