Datasheet Infineon IGLD60R190D1AUMA1 — Даташит
Производитель | Infineon |
Серия | IGLD60R190D1 |
Модель | IGLD60R190D1AUMA1 |
Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGLD60R190D1 for ultimate efficiency and reliability
Datasheets
Datasheet IGLD60R190D1
PDF, 1.1 Мб, Язык: анг., Версия: 02_00, Файл закачен: 31 окт 2019, Страниц: 17
600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
600V CoolGaN™ enhancement-mode Power Transistor
Выписка из документа
Цены
Купить IGLD60R190D1AUMA1 на РадиоЛоцман.Цены — от 815 до 3 053 ₽ 8 предложений от 5 поставщиков IGLD60R190D1: 600 V 10 A CoolGaN? Enhancement-Mode Power Transistor - LSON-8 | |||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | от 815 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | 1 051 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | 1 106 ₽ | ||
IGLD60R190D1AUMA1 Infineon | 3 053 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Модельный ряд
Серия: IGLD60R190D1 (1)
- IGLD60R190D1AUMA1
Классификация производителя
- Power > Wide Bandgap Semiconductors (SiC/GaN) > Gallium Nitride (GaN)