Datasheet Motorola MTD20P06HDL — Даташит
| Производитель | Motorola |
| Серия | MTD20P06HDL |
| Модель | MTD20P06HDL |
P-канал улучшения режима кремниевого затвора
Datasheets
Datasheet MTD20P06HDL
PDF, 318 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 дек 2019, Страниц: 12
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
P–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
Выписка из документа
Цены
 Купить MTD20P06HDL на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 166 223 ₽15 предложений от 14 поставщиков TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM | |||
| MTD20P06HDL Freescale | 298 ₽ | ||
| MTD20P06HDL ON Semiconductor | по запросу | ||
| MTD20P06HDL | по запросу | ||
| MTD20P06HDL ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Логический уровень TMOS Power FET
- 15 Ампер
- 60 Вольт
- RDS(вкл) = 175 МОм
Этот усовершенствованный HDTMOS E–FET с высокой плотностью ячеек разработан для выдерживания высокой энергии в режимах лавинного пробоя и коммутации.
Новая энергоэффективная конструкция также предлагает диод сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработан для низковольтных высокоскоростных коммутационных приложений в источниках питания, преобразователях и ШИМ-управлении двигателями, а также других индуктивных нагрузках. Способность к лавинной энергии указана для устранения догадок в конструкциях, где переключаются индуктивные нагрузки, и для обеспечения дополнительного запаса прочности против неожиданных переходных напряжений.
Классификация производителя
- MOSFETs
