Datasheet Nexperia GAN063-650WSAQ — Даташит
| Производитель | Nexperia |
| Серия | GAN063-650WSA |
| Модель | GAN063-650WSAQ |
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
Datasheets
Datasheet GAN063-650WSA
PDF, 289 Кб, Язык: анг., Версия: 27112019, Файл закачен: 5 дек 2019, Страниц: 12
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
Выписка из документа
Цены
 Купить GAN063-650WSAQ на РадиоЛоцман.Цены — от 2 866 до 70 807 ₽16 предложений от 5 поставщиков Gallium Nitride (GaN) Transistor, Gan FET, 650 В, 34.5 А, 0.06 Ом, 15 нКл, TP-247, Through Hole | |||
| GAN063-650WSAQ Nexperia | от 2 866 ₽ | ||
| GAN063-650WSAQ NXP | 2 906 ₽ | ||
| GAN063-650WSAQ Nexperia | от 3 435 ₽ | ||
| GAN063650WSAQ | 70 807 ₽ | ||
Подробное описание
The GAN063-650WSA is a 650 V, 50 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET.
It is a normally-off device that combines Nexperia’s state-of-the-art high-voltage GaN HEMT and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. AEC-Q101 qualified.
Модельный ряд
Серия: GAN063-650WSA (1)
- GAN063-650WSAQ
Варианты написания:
GAN063650WSAQ, GAN063 650WSAQ
