Datasheet Rohm SCT3160KLGC11 — Даташит
Nch МОП-транзистор из карбида кремния (SiC)
Datasheets
Datasheet SCT3160KL
PDF, 716 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 18 янв 2020, Страниц: 13
N-channel SiC power MOSFET
N-channel SiC power MOSFET
Выписка из документа
Цены
 Купить SCT3160KLGC11 на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 3 078 ₽36 предложений от 14 поставщиков Карбидокремниевый силовой МОП-транзистор, N-канальный, 17А, 1.2кВ, 0.16Ом, 18В, 5.6В | |||
| SCT3160KLGC11 Rohm | от 34 ₽ | ||
| SCT3160KLGC11 LAPIS Semiconductor | от 485 ₽ | ||
| SCT3160KLGC11 Rohm | 539 ₽ | ||
| SCT3160KLGC11 Rohm | от 2 656 ₽ | ||
Подробное описание
SCT3160KL — это SiC (карбид кремния) траншейный MOSFET.
Характеристики включают высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения.
Модельный ряд
Серия: SCT3160KL (1)
- SCT3160KLGC11
Классификация производителя
- SiC Power Devices > SiC MOSFETs
