Datasheet Rohm SCT3160KL — Даташит
Производитель | Rohm |
Серия | SCT3160KL |

Nch МОП-транзистор из карбида кремния (SiC)
Datasheets
Datasheet SCT3160KL
PDF, 716 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 18 янв 2020, Страниц: 13
N-channel SiC power MOSFET
N-channel SiC power MOSFET
Выписка из документа
Цены
![]() Высоковольтное MOS, ROHM SCT3160KL Power MOSFET, SiC, N Channel, 17A, 1.2kV, 0.16Ω, 18V, 5.6V New | |||
SCT3160KL Rohm | 433 ₽ | ||
SCT3160KL Rohm | 915 ₽ |
Подробное описание
SCT3160KL — это SiC (карбид кремния) траншейный MOSFET.
Характеристики включают высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокую скорость переключения.
Модельный ряд
Серия: SCT3160KL (1)
Классификация производителя
- SiC Power Devices > SiC MOSFETs