Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IXYS IXTY02N50D — Даташит

ПроизводительIXYS
СерияIXTY02N50D
МодельIXTY02N50D
Datasheet IXYS IXTY02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: ТО-252

Другие варианты исполнения

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTU02N50D IXTU02N50D

Классификация производителя

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode

На английском языке: Datasheet IXYS IXTY02N50D

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Публикации по теме