Datasheet IXYS IXTY02N50D — Даташит
Производитель | IXYS |
Серия | IXTY02N50D |
Модель | IXTY02N50D |

МОП-транзистор высокого напряжения
Datasheets
Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.
Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.
Тип упаковки: ТО-252
Другие варианты исполнения
IXTP02N50D IXTP02N50D IXTU02N50D IXTU02N50D
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode