Datasheet IXYS IXTY02N50D — Даташит

Производитель	IXYS
Серия	IXTY02N50D
Модель	IXTY02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET

Выписка из документа

Цены

Купить IXTY02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 100 до 436 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 200мА; Idm: 800мА; 25Вт; TO252
ЧипСити Россия	IXTY02N50D-TRL IXYS	100 ₽
AiPCBA Весь мир	IXTY02N50D-TRL IXYS	106 ₽
ТМ Электроникс Россия	IXTY02N50D IXYS	от 354 ₽
Элитан Россия	IXTY02N50D	436 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: ТО-252

Другие варианты исполнения

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTU02N50D IXTU02N50D

Классификация производителя

Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode