Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит
Производитель | IXYS |
Серия | IXTU02N50D |
Модель | IXTU02N50D |

МОП-транзистор высокого напряжения
Datasheets
Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
Цены
![]() 27 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Mosfet n-Ch 500V 0.2A To-251 | |||
IXTU02N50D IXYS | от 21 ₽ | ||
IXTU02N50D IXYS | 158 ₽ | ||
IXTU02N50D Littelfuse | 235 ₽ | ||
IXTU02N50D IXYS | по запросу |
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.
Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.
Тип упаковки: TO-251
Другие варианты исполнения
IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode