Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXTU02N50D |
| Модель | IXTU02N50D |

МОП-транзистор высокого напряжения
Datasheets
Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
Купить IXTU02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 235 ₽22 предложений от 12 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
| IXTU02N50D IXYS | 67 ₽ | ||
| IXTU02N50D IXYS | 123 ₽ | ||
| IXTU02N50D IXYS | от 186 ₽ | ||
| IXTU02N50D Littelfuse | 235 ₽ | ||
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.
Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.
Тип упаковки: TO-251
Другие варианты исполнения
IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode

Купить IXTU02N50D на РадиоЛоцман.Цены




