Datasheet IXYS IXTU02N50D — Даташит

Производитель	IXYS
Серия	IXTU02N50D
Модель	IXTU02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET

Выписка из документа

Цены

Купить IXTU02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 132 до 184 ₽ 20 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 500V 200MA TO-251
ЧипСити Россия	IXTU02N50D IXYS	132 ₽
AiPCBA Весь мир	IXTU02N50D IXYS	141 ₽
ЭИК Россия	IXTU02N50D IXYS	от 172 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IXTU02N50D	по запросу

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: TO-251

Другие варианты исполнения

IXTP02N50D IXTP02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Классификация производителя

Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode