Datasheet Littelfuse IXTP02N50D — Даташит
| Производитель | Littelfuse |
| Серия | IXTP02N50D |
| Модель | IXTP02N50D |
МОП-транзистор высокого напряжения
Datasheets
Datasheet IXTY02N50D, IXTU02N50D, IXTP02N50D
PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET
High VoltagePower MOSFET
Выписка из документа
 Купить IXTP02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 81 до 2 197 ₽40 предложений от 16 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
| IXTP02N50D IXYS | от 85 ₽ | ||
| IXTP02N50D IXYS | от 212 ₽ | ||
| IXTP02N50D | 435 ₽ | ||
| IXTP02N50D IXYS | от 2 197 ₽ | ||
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.
Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.
Тип упаковки: ТО-220
Другие варианты исполнения
IXTU02N50D IXTU02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode
