Datasheet IXYS IXTP02N50D — Даташит

Производитель	IXYS
Серия	IXTP02N50D
Модель	IXTP02N50D

МОП-транзистор высокого напряжения

Datasheets

Просмотр и загрузка

PDF, 213 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 май 2020, Страниц: 4
High VoltagePower MOSFET

Выписка из документа

Цены

Купить IXTP02N50D на РадиоЛоцман.Цены — от 85 до 2 202 ₽ 35 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 0,2А; 25Вт; TO220AB; 5нс
ЧипСити Россия	IXTP02N50D IXYS	313 ₽
IC Home Весь мир	IXTP02N50D IXYS	552 ₽
Компонентс Ру Россия	IXTP02N50D IXYS	от 747 ₽
TradeElectronics Россия	IXTP02N50D IXYS	по запросу

Подробное описание

Полевые МОП-транзисторы в режиме истощения, в отличие от обычных полевых МОП-транзисторов, требуют отрицательного смещения затвора для отключения.

Следовательно, они остаются на уровне или выше нулевого напряжения смещения затвора, но в остальном имеют аналогичные характеристики MOSFET. Они подходят для сдвига уровня, твердотельных реле, регуляторов тока и активных нагрузок.

Тип упаковки: ТО-220

Другие варианты исполнения

IXTU02N50D IXTU02N50D IXTY02N50D IXTY02N50D

Классификация производителя

Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > N-Channel Depletion Mode