Datasheet Diodes DMN3012LEG — Даташит
| Производитель | Diodes |
| Серия | DMN3012LEG |
30-вольтовый синхронный N-канальный режим улучшения MOSFET
Datasheets
Datasheet DMN3012LEG
PDF, 611 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 3 июн 2020, Страниц: 10
30V Synchronous N-Channel Enhancement Mode MOSFET
30V Synchronous N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Выписка из документа
 Купить DMN3012LEG на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 124 ₽25 предложений от 12 поставщиков Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 | |||
| DMN3012LEG-13 Diodes | от 14 ₽ | ||
| DMN3012LEG-7 Diodes | от 116 ₽ | ||
| DMN3012LEG-13 Diodes | по запросу | ||
| DMN3012LEG-13 Diodes | по запросу | ||
Подробное описание
Этот МОП-транзистор нового поколения предназначен для минимизации сопротивления включенному состоянию (RDS (ON)) и в то же время поддерживает превосходные характеристики коммутации, что делает его идеальным для высокоэффективных приложений управления питанием.
Корпус / Упаковка / Маркировка
| DMN3012LEG-7 | |
|---|---|
| N | 1 |
| Корпус | PowerDI3333-8 (Type D) |
Параметры
| Parameters / Models | DMN3012LEG-7 |
|---|---|
| Automotive Compliant PPAP | No |
| CISS Typ | 650/1137 pF |
| ESD Diodes | No Y/N |
| IDS @ TA = +25°C | 10, 10 A |
| IDS @ TC = +25°C | 20 A |
| PD @ TA = +25°C | 2.16 W |
| PD @ TC = +25°C | 2.2 W |
| Polarity | N+N |
| QG Typ @ VGS = 4.5V (nC) | 4.7, 9.7 nC |
| Qualified to AECQ10x | No |
| RDS(ON) Max @ VGS (4.5V) | 12, 6 mΩ |
| VDS | 30, 30 V |
| VGS | 10, 10 ±V |
| VGS (th) Max | 2.1, 1.15 V |
Модельный ряд
Серия: DMN3012LEG (1)
Классификация производителя
- Discrete > MOSFETs > MOSFET Master Table
