Datasheet Toshiba XPN12006NC — Даташит
| Производитель | Toshiba |
| Серия | XPN12006NC |
| Модель | XPN12006NC |
Силовой полевой МОП-транзистор (одиночный N-канальный 30 В <VDSS≤60 В)
Datasheets
Datasheet XPN12006NC
PDF, 574 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: июн 2020, Страниц: 10
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
Выписка из документа
Цены
_bottomview.jpg) Купить XPN12006NC на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 100 ₽23 предложений от 5 поставщиков Транзисторы - FETs | |||
| XPN12006NC,L1XHQ | от 40 ₽ | ||
| XPN12006NC,L1XHQ | от 43 ₽ | ||
| XPN12006NC Toshiba | 67 ₽ | ||
| XPN12006NC,L1XHQ Toshiba | от 100 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Количество выводов | 8 |
| Код корпуса производителя | TSON Advance(WF) |
| Способ монтажа | Surface Mount |
| Ширина×Длина×Высота | 3.3×3.6×0.85 мм |
Параметры
| AEC-Q101 | Qualified |
| Application Scope | DC-DC Converters / Automotive / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers |
| Assembly bases | Japan |
| Drain current | 20 A |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V] | 12 mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V] | 23.7 mΩ |
| Drain-Source voltage | 60 В |
| Gate threshold voltage (Max) | 2.5 В |
| Gate-Source voltage | +/-20 В |
| Generation | U-MOSⅧ-H |
| Input capacitance (Typ.) | 1100 пФ |
| Internal Connection | Single |
| Polarity | N-ch |
| Рассеиваемая мощность | 65 W |
| Total gate charge (Typ.) [VGS=10V] | 23 nC |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
