Datasheet Toshiba XPN7R104NC — Даташит
| Производитель | Toshiba |
| Серия | XPN7R104NC |
| Модель | XPN7R104NC |
Силовой полевой МОП-транзистор (одиночный N-канальный 30 В <VDSS≤60 В)
Datasheets
Datasheet XPN7R104NC
PDF, 582 Кб, Язык: анг., Файл опубликован: июн 2020, Страниц: 10
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOSVIII-H)
Выписка из документа
 Купить XPN7R104NC на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 106 ₽17 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON | |||
| XPN7R104NC,L1XHQ | от 13 ₽ | ||
| XPN7R104NC,L1XHQ | от 56 ₽ | ||
| XPN7R104NC Toshiba | 57 ₽ | ||
| XPN7R104NC,L1XHQ | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Количество выводов | 8 |
| Код корпуса производителя | TSON Advance(WF) |
| Способ монтажа | Surface Mount |
| Ширина×Длина×Высота | 3.3×3.6×0.85 мм |
Параметры
| AEC-Q101 | Qualified |
| Application Scope | DC-DC Converters / Automotive / Switching Voltage Regulators / Motor Drivers |
| Assembly bases | Japan |
| Drain current | 20 A |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=10V] | 7.1 mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=4.5V] | 14.2 mΩ |
| Drain-Source voltage | 40 В |
| Gate threshold voltage (Max) | 2.5 В |
| Gate-Source voltage | +/-20 В |
| Generation | U-MOSⅧ-H |
| Input capacitance (Typ.) | 1290 пФ |
| Internal Connection | Single |
| Polarity | N-ch |
| Рассеиваемая мощность | 65 W |
| Total gate charge (Typ.) [VGS=10V] | 21 nC |
Экологический статус
| RoHS | Совместим |
