ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet Samsung K6R1004C1D-JC(I) 10/12 — Даташит

ПроизводительSamsung
СерияK6R1016V1D
МодельK6R1004C1D-JC(I) 10/12

64Kx16-битное высокоскоростное статическое ОЗУ CMOS (рабочее напряжение 3,3 В)

Datasheets

Datasheet K6R1016V1D
PDF, 269 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 25 сен 2020, Страниц: 11
CMOS SRAM
Выписка из документа

Цены

256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).
Acme Chip
Весь мир
K6R1004C1D-JC12
Samsung
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
K6R1004C1D-JC8
по запросу
K6R1004C1D-JC10
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Модельный ряд

Варианты написания:

K6R1004C1DJC(I) 10/12, K6R1004C1D JC(I) 10/12

На английском языке: Datasheet Samsung K6R1004C1D-JC(I) 10/12

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России