Datasheet ON Semiconductor NVBG015N065SC1 — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | NVBG015N065SC1 |
| Модель | NVBG015N065SC1 |
МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 12 мОм, D2PAK − 7L
Datasheets
Datasheet NVBG015N065SC1
PDF, 346 Кб, Язык: анг., Версия: 2, Файл закачен: 24 фев 2021, Страниц: 8
SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 12 mW, 145 A
SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 650 V, 12 mW, 145 A
Выписка из документа
Цены
 Купить NVBG015N065SC1 на РадиоЛоцман.Цены — от 4 950 до 10 259 ₽10 предложений от 4 поставщиков SIC MOS D2PAK-7L 650V | |||
| NVBG015N065SC1 ON Semiconductor | от 4 950 ₽ | ||
| NVBG015N065SC1 ON Semiconductor | 8 804 ₽ | ||
| NVBG015N065SC1 ON Semiconductor | 9 199 ₽ | ||
| NVBG015N065SC1 ON Semiconductor | от 10 259 ₽ | ||
Подробное описание
MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием.
Кроме того, низкое сопротивление в открытом состоянии и компактный размер кристалла обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более быструю рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитных помех и уменьшенный размер системы.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | D2PAK7 (TO-263-7L HV) |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Классификация производителя
- Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
