Datasheet ON Semiconductor NTH4L015N065SC1 — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | NTH4L015N065SC1 |
| Модель | NTH4L015N065SC1 |
МОП-транзистор из карбида кремния, N-канал, 650 В, 15,6 мОм, TO247-4L
Datasheets
Datasheet NTH4L015N065SC1
PDF, 280 Кб, Язык: анг., Версия: 0, Файл закачен: 24 фев 2021, Страниц: 8
MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
MOSFET - SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 650 V, 12 mW, 142 A
Выписка из документа
Цены
Купить NTH4L015N065SC1 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 334 до 4 572 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 100А; Idm: 483А; 250Вт; TO247 | |||
| NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor | 2 334 ₽ | ||
| NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor | 2 386 ₽ | ||
| NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor | от 4 572 ₽ | ||
| NTH4L015N065SC1 ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
MOSFET из карбида кремния (SiC) использует совершенно новую технологию, которая обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую надежность по сравнению с кремнием.
Кроме того, низкое сопротивление в открытом состоянии и компактный размер кристалла обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают высочайшую эффективность, более быструю рабочую частоту, повышенную удельную мощность, снижение электромагнитных помех и уменьшенный размер системы.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | TO-247-4 |
| Код корпуса | 340CJ |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | AEC Qualified | PPAP Capable | Pb-free | Halide free |
Классификация производителя
- Wide Bandgap > Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
