Datasheet Analog Devices HMC1114LP5DE — Даташит
| Производитель | Analog Devices |
| Серия | HMC1114LP5DE |
GaN ИС усилителя мощности, 10 Вт, рабочий диапазон 2.7 ГГц - 3.8 ГГц
Datasheets
Datasheet HMC1114
PDF, 320 Кб, Язык: анг., Версия: A, Файл закачен: 5 мар 2021, Страниц: 15
10 W, GaN Power Amplifier, 2.7 GHz to 3.8 GHz
10 W, GaN Power Amplifier, 2.7 GHz to 3.8 GHz
Выписка из документа
Цены
 Купить HMC1114LP5DE на РадиоЛоцман.Цены — от 8 409 до 8 740 ₽5 предложений от 5 поставщиков Усилитель IC и модуль RF, RF Amp Single Power Amp 3.8GHz 35V 32Pin LFCSP EP T/R | |||
| HMC1114LP5DE Analog Devices | 8 409 ₽ | ||
| HMC1114LP5DE Analog Devices | по запросу | ||
| HMC1114LP5DE Analog Devices | по запросу | ||
| HMC1114LP5DE Analog Devices | по запросу | ||
Статус
| HMC1114LP5DE | HMC1114LP5DETR | |
|---|---|---|
| Статус продукта | Скоро будет снят с производства | Скоро будет снят с производства |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| HMC1114LP5DE | HMC1114LP5DETR | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Корпус | 32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP) | 32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP) |
| Количество выводов | 32 | 32 |
| Код корпуса | CG-32-1 | CG-32-1 |
Параметры
| Parameters / Models | HMC1114LP5DE | HMC1114LP5DETR |
|---|---|---|
| Device Match | Internal | Internal |
| Freq Response RF(max), Hz | 3.8G | 3.8G |
| Freq Response RF(min), Hz | 2.7G | 2.7G |
| Gain dB(typ), дБ | 35 | 35 |
| OIP3(typ), dBm | 44 | 44 |
| OP1dB(typ), dBm | 34 | 34 |
| Рабочий диапазон температур, °C | от -40 до 85 | от -40 до 85 |
| Psat(typ), dBm | 41.5 | 41.5 |
| RF Primary Function | GaN Power Amp, Power Amp | GaN Power Amp, Power Amp |
| Vs(typ), В | 28 | 28 |
Экологический статус
| HMC1114LP5DE | HMC1114LP5DETR | |
|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим |
Модельный ряд
Серия: HMC1114LP5DE (2)
Классификация производителя
- Amplifiers > Power Amplifiers
