Datasheet STMicroelectronics STGAP2SICSCTR — Даташит
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | STGAP2SICS |
| Модель | STGAP2SICSCTR |
4-амперный изолированный драйвер затворов SiC MOSFET
Datasheets
Datasheet STGAP2SICS
PDF, 567 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 29 мар 2021, Страниц: 24
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
Выписка из документа
Подробное описание
Все особенности- Шина высокого напряжения до 1200 В
- Допустимый ток драйвера: 4 А, сток / источник при 25 ° C
- Устойчивость к переходным процессам dV / dt ± 100 В / нс во всем диапазоне температур
- Общая задержка распространения на входе-выходе: 75 нс
- Возможность раздельного стока и источника для упрощения настройки управления затвором
- 4 вариант со специальным штырем Miller CLAMP
- Функция UVLO
Модельный ряд
Серия: STGAP2SICS (4)
- STGAP2SICS STGAP2SICSC STGAP2SICSCTR STGAP2SICSTR
Классификация производителя
- Power Management > Gate Drivers > Single Channel Drivers
