Datasheet Wolfspeed C2M1000170J — Даташит
Производитель | Wolfspeed |
Серия | C2M1000170J |
Модель | C2M1000170J |
МОП-транзисторы из карбида кремния 1700 В
Datasheets
Datasheet C2M1000170J
PDF, 1.1 Мб, Язык: анг., Файл закачен: 30 мар 2021, Страниц: 10
Silicon Carbide Power MOSFET 1700 V 5.3 A 1.0 Ω
Silicon Carbide Power MOSFET 1700 V 5.3 A 1.0 Ω
Выписка из документа
![]() 32 предложений от 14 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные | |||
C2M1000170J Cree | 272 ₽ | ||
C2M1000170J Wolfspeed | 1 230 ₽ | ||
C2M1000170J | от 1 507 ₽ | ||
C2M1000170J-TR Wolfspeed | по запросу |
Подробное описание
SiC-МОП-транзисторы Wolfspeed 1700V позволяют создавать более компактные и более эффективные системы преобразования энергии.
По сравнению с решениями на основе кремния технология карбида кремния Wolfspeed обеспечивает повышенную удельную мощность системы, более высокие частоты переключения, меньшие размеры, более холодные компоненты, уменьшенный размер компонентов, таких как индукторы, конденсаторы, фильтры и трансформаторы, а также общую экономию.
Классификация производителя
- 1700V Silicon Carbide MOSFETs