Datasheet ON Semiconductor NXH010P120MNF1 — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | NXH010P120MNF1 |
Модуль SiC, топология полумоста из 2 элементов, 1200 В, 10 МОм SiC MOSFET
Datasheets
Datasheet NXH010P120MNF1PTNG, NXH010P120MNF1PNG
PDF, 2.2 Мб, Язык: анг., Версия: P2, Файл закачен: 1 июл 2021, Страниц: 12
F1-2PACK SiC MOSFET Module
F1-2PACK SiC MOSFET Module
Выписка из документа
Цены
 Купить NXH010P120MNF1 на РадиоЛоцман.Цены — от 4 125 до 21 452 ₽9 предложений от 7 поставщиков Транзистор: PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO | |||
| NXH010P120MNF1PTG ON Semiconductor | от 4 125 ₽ | ||
| NXH010P120MNF1PTG ON Semiconductor | 12 425 ₽ | ||
| NXH010P120MNF1PTNG ON Semiconductor | 19 473 ₽ | ||
| NXH010P120MNF1PTNG ON Semiconductor | 21 452 ₽ | ||
Подробное описание
NXH010P120MNF1 - это модуль SiC MOSFET, содержащий полумост SiC MOSFET 10 МОм и термистор NTC в модуле AM F1.
Статус
| NXH010P120MNF1PNG | |
|---|---|
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| NXH010P120MNF1PNG | |
|---|---|
| N | 1 |
| Корпус | PIM18 33.8x42.5 (PRESS FIT) |
| Код корпуса | 180BW |
Экологический статус
| NXH010P120MNF1PNG | |
|---|---|
| Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free |
Модельный ряд
Серия: NXH010P120MNF1 (1)
Классификация производителя
- Power Modules > SiC Modules
