Datasheet ON Semiconductor NXH006P120MNF2PTG — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | NXH006P120MNF2 |
| Модель | NXH006P120MNF2PTG |
SiC-модули, полумостовой 2-PACK 1200 В, 6 МОм SiC MOSFET, корпус F2
Datasheets
Datasheet NXH006P120MNF2PTG
PDF, 1.8 Мб, Язык: анг., Версия: P3, Файл закачен: 1 июл 2021, Страниц: 10
F2HALFBR Module
F2HALFBR Module
Выписка из документа
Цены
 Купить NXH006P120MNF2PTG на РадиоЛоцман.Цены — от 7 668 до 38 530 ₽14 предложений от 8 поставщиков Полупроводники - Дискретные | |||
| NXH006P120MNF2PTG ON Semiconductor | от 7 668 ₽ | ||
| NXH006P120MNF2PTG | от 17 178 ₽ | ||
| NXH006P120MNF2PTG ON Semiconductor | 17 638 ₽ | ||
| NXH006P120MNF2PTG ON Semiconductor | 23 122 ₽ | ||
Подробное описание
NXH006P120MNF2 - это полумост или SiC-модуль с двумя пакетами с двумя переключателями SiC MOSFET на 6 МОм 1200 В и термистором в корпусе F2.
Переключатели SiC MOSFET используют технологию M1 и управляются затвором 18-20 В.
Статус
| Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | PIM36 56.7x42.5 (PRESS FIT) |
| Код корпуса | 180BY |
Экологический статус
| Стандарты и нормы | Pb-free | Halide free |
Модельный ряд
Серия: NXH006P120MNF2 (1)
- NXH006P120MNF2PTG
Классификация производителя
- Power Modules > SiC Modules
