Электронные компоненты для ремонта и хобби

Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
СерияMTP3N60E

TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Datasheets

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 сен 2022, Страниц: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Выписка из документа

Цены

TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
T-electron
Россия и страны СНГ
MTP3SE10C
894 566 ₽
MTP3N60E
Motorola
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
5602-1101
по запросу
Алкалиновые батарейки POWER FLASH – новая продукция в линейке поставок Компэл

Подробное описание

Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться.

Это новое высокоэнергетическое устройство также оснащено диодом сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для высоковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений, таких как источники питания, устройства управления двигателями с ШИМ и другими индуктивными нагрузками, способность лавинной энергии предназначена для устранения предположений в конструкциях, в которых индуктивные нагрузки коммутируются, и обеспечивает дополнительный запас безопасности против непредвиденных переходных процессов напряжения.

Модельный ряд

Серия: MTP3N60E (1)

Классификация производителя

  • Discretes & Drivers > MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E

Corebai - АЦП, ЦАП, ОУ, интерфейсы и другие аналоговые микросхемы поступили на склад