Shenler: реле, интерфейсные модули

Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — Даташит

ПроизводительON Semiconductor
СерияMTP3N60E
МодельMTP3N60E/D

TMOS E-FET High Energy Power FET N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

Datasheets

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 сен 2022, Страниц: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Выписка из документа
6 предложений от 6 поставщиков
TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 600 VOLTS RDS(on) = 2.2 OHMS
MTP3N60E
Motorola
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
MTP3N60E
ON Semiconductor
по запросу
Augswan
Весь мир
MTP3N60E
ON Semiconductor
по запросу
727GS
Весь мир
MTP3N60E
ON Semiconductor
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Подробное описание

Этот усовершенствованный высоковольтный TMOS E-FET спроектирован так, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном режиме и эффективно переключаться.

Это новое высокоэнергетическое устройство также оснащено диодом сток-исток с быстрым временем восстановления. Разработанные для высоковольтных, высокоскоростных коммутационных приложений, таких как источники питания, устройства управления двигателями с ШИМ и другими индуктивными нагрузками, способность лавинной энергии предназначена для устранения предположений в конструкциях, в которых индуктивные нагрузки коммутируются, и обеспечивает дополнительный запас безопасности против непредвиденных переходных процессов напряжения.

Модельный ряд

Серия: MTP3N60E (1)
  • MTP3N60E/D

Классификация производителя

  • Discretes & Drivers > MOSFETs

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка