Datasheet ON Semiconductor BSS123 — Даташит
| Производитель | ON Semiconductor |
| Серия | BSS123 |
| Модель | BSS123 |
N-канальный режим повышения логического уровня Полевой транзистор 100 В, 170 мА, 6 Ом
Datasheets
Datasheet BSS123
PDF, 202 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 7
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Выписка из документа
 Купить BSS123 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.09 до 63 ₽78 предложений от 35 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 100Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 0,17Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 2100Емкость, пФ:... | |||
| BSS123 ON Semiconductor | от 0.19 ₽ | ||
| BSS123 | 2.00 ₽ | ||
| BSS123 L7874 Infineon | по запросу | ||
| BSS123_NL Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Этот N-канальный полевой МОП-транзистор изготовлен с использованием запатентованной технологии DMOS с высокой плотностью ячеек.
Этот продукт был разработан для минимизации сопротивления во включенном состоянии, обеспечивая при этом прочные, надежные и быстрые характеристики переключения. BSS123 особенно подходит для приложений с низким напряжением и малым током, таких как управление небольшим серводвигателем, силовые драйверы затворов MOSFET и другие приложения переключения. .
Модельный ряд
Серия: BSS123 (2)
- BSS123 BSS123-G
Классификация производителя
- Discrete & Power Modules > MOSFETs
