Datasheet IXYS IXTQ44P15T — Даташит
| Производитель | IXYS |
| Серия | IXTQ44P15T |
| Модель | IXTQ44P15T |
Мощные МОП-транзисторы TrenchP
Datasheets
Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2022, Страниц: 8
TrenchP Power MOSFETs
TrenchP Power MOSFETs
Выписка из документа
Цены
 Купить IXTQ44P15T на РадиоЛоцман.Цены — от 96 до 887 ₽28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: P-MOSFET; TrenchPTM; полевой; -150В; -44А; 298Вт; TO3P | |||
| IXTQ44P15T IXYS | от 96 ₽ | ||
| IXTQ44P15T IXYS | 329 ₽ | ||
| IXTQ44P15T IXYS | от 887 ₽ | ||
| IXTQ44P15T IXYS | по запросу | ||
Подробное описание
Полевые МОП-транзисторы Trench с P-каналом хорошо подходят для приложений переключения «высокой стороны», где можно использовать простую схему возбуждения, связанную с землей, избегая дополнительных схем драйвера «высокой стороны», обычно используемых при использовании N-канальных МОП-транзисторов.
Это позволяет разработчикам сократить количество компонентов, тем самым упрощая схему управления и общую структуру стоимости компонентов.
Кроме того, он позволяет разработать дополнительный силовой выходной каскад с соответствующим N-канальным полевым МОП-транзистором для силового полумостового каскада в паре с простой схемой возбуждения.
Другие варианты исполнения
IXTA44P15T IXTH44P15T IXTP44P15T
Классификация производителя
- Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate
