Datasheet New Jersey Semiconductor IRF120 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRF120 |
| Модель | IRF120 |
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В
Datasheets
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа
 Купить IRF120 на РадиоЛоцман.Цены — от 47 до 433 ₽17 предложений от 17 поставщиков , Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | |||
| IRF120 Harris | 50 ₽ | ||
| IRF120 | 411 ₽ | ||
| IRF120E/SIM Fairchild | по запросу | ||
| IRF120N-TR Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.
Другие варианты исполнения
IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10
Классификация производителя
- MOSFET
