Datasheet New Jersey Semiconductor IRF123 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRF123 |
| Модель | IRF123 |
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В
Datasheets
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа
 Купить IRF123 на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 1 747 ₽15 предложений от 12 поставщиков N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | |||
| IRF123 Rochester Electronics | 50 ₽ | ||
| IRF123 Infineon | 54 ₽ | ||
| IRF123H Samsung | по запросу | ||
| IRF123 | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.
Другие варианты исполнения
IRF120 IRF121 IRF122 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08 MTP10N10
Классификация производителя
- MOSFET
