Datasheet New Jersey Semiconductor IRF523 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | IRF523 |
| Модель | IRF523 |
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В
Datasheets
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа
 Купить IRF523 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.53 до 83 ₽17 предложений от 14 поставщиков , Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | |||
| IRF523 Harris | 8.53 ₽ | ||
| IRF523 Harris | 8.93 ₽ | ||
| IRF523FI Fairchild | по запросу | ||
| IRF523P Fairchild | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.
Другие варианты исполнения
IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF522 MTP10N08 MTP10N10
Классификация производителя
- MOSFET
