Datasheet New Jersey Semiconductor MTP10N10 — Даташит
| Производитель | New Jersey Semiconductor |
| Серия | MTP10N10 |
| Модель | MTP10N10 |
Силовые N-канальные МОП-транзисторы, 11 А, 60–100 В
Datasheets
Datasheet IRF, MTP
PDF, 812 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 27 ноя 2022, Страниц: 3
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Выписка из документа
 Купить MTP10N10 на РадиоЛоцман.Цены — от 123 до 1 785 ₽16 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB. N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220AB. Transistors - FETs, MOSFETs -... | |||
| MTP10N10ELG ON Semiconductor | 357 ₽ | ||
| MTP10N10ELG ON Semiconductor | по запросу | ||
| MTP10N10E ON Semiconductor | по запросу | ||
| MTP10N10ELG ON Semiconductor | по запросу | ||
Подробное описание
Эти устройства представляют собой n-канальные силовые полевые МОП-транзисторы с режимом расширения, разработанные специально для высокоскоростных приложений, таких как импульсные источники питания, преобразователи, устройства управления двигателями переменного и постоянного тока, драйверы реле и соленоидов и другие импульсные схемы.
Другие варианты исполнения
IRF120 IRF121 IRF122 IRF123 IRF520 IRF521 IRF522 IRF523 MTP10N08
Классификация производителя
- MOSFET
